IPC H01L21/4763 專利列表
共 15 筆結果
增進中間層黏著的方法
應用材料股份有限公司
案號 0931059602004-03-05IPC H01L21/4763
在雙重摻雜閘極應用中用以改善輪廓控制及正／負型加載的方法
蘭姆研究公司
案號 0931055142004-03-03IPC H01L21/4763
具有低電介質阻障層之導線結構
萬國商業機器公司
案號 0931006822004-01-12IPC H01L21/4763
擴散障壁及其方法
船井電機股份有限公司
案號 0921371712003-12-26IPC H01L21/4763
電子裝置之製造方法
希普列公司
案號 0921361082003-12-19IPC H01L21/4763
鑲嵌式金屬內連線之製造方法及介電層之修復程序
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921338142003-12-02IPC H01L21/4763
雙鑲嵌結構與其形成方法，以及用以去除光阻與氧化物之化合物的蝕刻溶液
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921336462003-12-01IPC H01L21/4763
雙鑲嵌開口及結構的形成方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921314932003-11-11IPC H01L21/4763
自行對準接觸窗結構的製造方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921307732003-11-04IPC H01L21/4763
抑制還原工程之傳導通道虛擬阻擋方法與電路
ＨＲＬ實驗有限公司
案號 0921266862003-09-26IPC H01L21/4763
具鈦層之氮化物及聚矽界面
北美億恒科技公司
案號 0921257382003-09-18IPC H01L21/4763
內層包含鈀及∕或鉑之構造及其製造方法
萬國商業機器公司
案號 0921205082003-07-28IPC H01L21/4763
使用矽化物接觸件製造半導體之方法
格羅方德半導體公司
案號 0921164972003-06-18IPC H01L21/4763
用於銅鑲嵌式內連線且含有低介電常數介電質的多矽氧化物
特許半導體製造公司
案號 0921126612003-05-09IPC H01L21/4763
製造半導體裝置之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911368762002-12-20IPC H01L21/4763