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專利資訊
多階記憶胞與其製造方法
力晶半導體股份有限公司
申請案號
092113048
公告號
200425421
申請日期
2003-05-14
申請人
力晶半導體股份有限公司
發明人
黃丘宗
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8246
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