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形成具有低介電常數之絕緣膜之材料、低介電絕緣膜、用以形成低介電絕緣膜之方法及半導體裝置

松下電器產業股份有限公司

申請案號
092113083
公告號
200400559
申請日期
2003-05-14
申請人
松下電器產業股份有限公司
發明人
中川秀夫
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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