IP

無場氧化絕緣架構快閃記憶體單元及其製造方法

旺宏電子股份有限公司

申請案號
092113683
公告號
200427003
申請日期
2003-05-21
申請人
旺宏電子股份有限公司
發明人
陳銘祥
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

無場氧化絕緣架構快閃記憶體單元及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通