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矽基材表面之二氧化矽膜形成方法、半導體基材表面之氧化膜形成方法、及半導體裝置之製造方法

科學技術振興事業團

申請案號
092114030
公告號
200402797
申請日期
2003-05-23
申請人
科學技術振興事業團
發明人
小林光
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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矽基材表面之二氧化矽膜形成方法、半導體基材表面之氧化膜形成方法、及半導體裝置之製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通