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一種具有選擇性磊晶（ＳＥＧ）層之金氧半導體電晶體

聯華電子股份有限公司

申請案號
092115609
公告號
200428653
申請日期
2003-06-09
申請人
聯華電子股份有限公司
發明人
黃國泰
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L29/76
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一種具有選擇性磊晶（ＳＥＧ）層之金氧半導體電晶體 - 專利資訊 | NowTo 智財通