IPC H01L29/76 專利列表
共 19 筆結果
低電壓之Ｎ通道金屬氧化物半導體靜電放電夾
恩智浦美國公司
案號 0931027732004-02-06IPC H01L29/76
改良橫向雙層散佈金屬氧化物半導體設計之積體電路結構
菲爾恰爾半導體公司
案號 0921347532003-12-09IPC H01L29/76
電路佈局構造
三洋電機股份有限公司
案號 0921338032003-12-02IPC H01L29/76
雙閘極場效應電晶體結構及構成此種結構之方法
萬國商業機器公司
案號 0921335042003-11-28IPC H01L29/76
形成半導體元件之閘電極的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921309492003-11-05IPC H01L29/76
雙閘極及三閘極金氧半導體場效電晶體裝置及其製造方法
高級微裝置公司
案號 0921291182003-10-21IPC H01L29/76
具有併合頂板結構之鐵電記憶體裝置及其製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921276642003-10-06IPC H01L29/76
利用熱膨脹係數不同於基底之隔離材料形成應變之互補式金氧半電晶體以及雙軸應變之雙極接面電晶體
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921257002003-09-18IPC H01L29/76
半導體記憶裝置及其製造方法
富士通股份有限公司
案號 0921241362003-08-29IPC H01L29/76
三重閘裝置及其製造方法
英特爾公司
案號 0921231732003-08-22IPC H01L29/76
具有可程式臨界電壓之ＤＭＯＳ裝置
通用半導體股份有限公司
案號 0921221572003-08-12IPC H01L29/76
具有高Ｋ閘極介電質的金屬氧化物半導體（ＭＯＳ）電晶體
惠普研發公司
案號 0921205222003-07-28IPC H01L29/76
具多重堆疊通道之場效電晶體
三星電子股份有限公司
案號 0921201302003-07-23IPC H01L29/76
半導體裝置及其製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921166372003-06-19IPC H01L29/76
半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921165152003-06-18IPC H01L29/76
一種具有選擇性磊晶（ＳＥＧ）層之金氧半導體電晶體
聯華電子股份有限公司
案號 0921156092003-06-09IPC H01L29/76
電荷耦合元件具有在轉移通道中作為阻障區之縮減寬度
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921099762003-04-29IPC H01L29/768
偏置型三重井完全空乏絕緣體上矽層結構之製法及運用
格羅方德半導體公司
案號 0921051602003-03-11IPC H01L29/76
電荷傳輸裝置
三洋電機股份有限公司
案號 0921046192003-03-05IPC H01L29/762