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控制摻雜碳之氧化物薄膜的蝕刻偏差之方法

英特爾公司

申請案號
092115682
公告號
200408004
申請日期
2003-06-10
申請人
英特爾公司
發明人
大衛H 葛瑞西斯
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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控制摻雜碳之氧化物薄膜的蝕刻偏差之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通