IPC H01L21/311 專利列表
共 10 筆結果
於低Ｋ值介電質上之無氮硬罩幕
應用材料股份有限公司
案號 0931070162004-03-16IPC H01L21/311
淺溝渠隔離結構的製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0931014872004-01-20IPC H01L21/311
在矽化製程中選擇性移除層之清洗溶液及方法
三星電子股份有限公司
案號 0921343532003-12-05IPC H01L21/311
可拋棄式間隙壁之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921315922003-11-11IPC H01L21/311
控制摻雜碳之氧化物薄膜的蝕刻偏差之方法
英特爾公司
案號 0921156822003-06-10IPC H01L21/311
移除氮化矽層的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921131822003-05-15IPC H01L21/311
圖樣化陶瓷層之方法
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921082712003-04-10IPC H01L21/311
量子點之形成方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911368732002-12-20IPC H01L21/311
絕緣膜蝕刻裝置
阿內魯巴股份有限公司
案號 0911331702002-11-12IPC H01L21/311
雷射裝置，雷射照射方法，半導體裝置之製造方法，半導體裝置，使用雷射裝置之半導體裝置之生產系統及電子設備
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0911321672002-10-30IPC H01L21/311