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具有氧化矽層之半導體元件之製造方法,具有雙間隙壁之半導體元件之製造方法,形成氧化矽層於基底上之方法,以及形成雙間隙壁於導電層上之方法

三星電子股份有限公司

申請案號
092116073
公告號
200401397
申請日期
2003-06-13
申請人
三星電子股份有限公司
發明人
具滋欽
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有氧化矽層之半導體元件之製造方法,具有雙間隙壁之半導體元件之製造方法,形成氧化矽層於基底上之方法,以及形成雙間隙壁於導電層上之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通