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半導體記憶裝置及其製造方法、縱型金屬絕緣半導體場效電晶體之製造方法及縱型金屬絕緣半導體場效電晶體、半導體裝置之製造方法及半導體裝置

瑞薩電子股份有限公司

申請案號
092117320
公告號
200409343
申請日期
2003-06-25
申請人
瑞薩電子股份有限公司
發明人
茶木原啟
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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半導體記憶裝置及其製造方法、縱型金屬絕緣半導體場效電晶體之製造方法及縱型金屬絕緣半導體場效電晶體、半導體裝置之製造方法及半導體裝置 - 專利資訊 | NowTo 智財通