IPC H01L27/10 專利列表
共 124 筆結果
一動態隨機存取記憶體之陣列結構、光罩以及其製作方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931084812004-03-29IPC H01L27/108
磁性記憶胞及磁性記憶裝置以及磁性記憶裝置之製造方法
ＴＤＫ股份有限公司
案號 0931082952004-03-26IPC H01L27/105
非揮發性半導體記憶體裝置
日商鎧俠股份有限公司
案號 0931079192004-03-24IPC H01L27/10
磁性記憶體裝置之製造方法及磁性記憶體裝置
新力股份有限公司
案號 0931064752004-03-11IPC H01L27/105
埋入式電容器介層窗之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931065412004-03-11IPC H01L27/108
具有迴路式圖案結構且可結合交替式相移光罩之記憶體裝置以及製造該記憶體裝置的方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931060112004-03-08IPC H01L27/108
電子裝置，元件基板，光電裝置，光電裝置之製造方法及電子機器
精工愛普生股份有限公司
案號 0931052062004-02-27IPC H01L27/10
雙電晶體之結構及系統晶片集成以及用於溝渠技術之雙電容記憶體單元
萬國商業機器公司
案號 0931044912004-02-23IPC H01L27/108
半導體裝置及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0931042922004-02-20IPC H01L27/108
無須改變輸入端子電容即可調整輪入電阻之半導體裝置
ＰＳ４盧克斯科公司
案號 0931036142004-02-16IPC H01L27/108
用於嵌入式動態隨機存取記憶體之自行對準金屬／絕緣體／金屬（ＭＩＭ）電容器之製造方法及其所生產之半導體裝置
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931033822004-02-12IPC H01L27/108
電壓產生器以及產生穩定電壓的方法
晶豪科技股份有限公司
案號 0931029642004-02-09IPC H01L27/10
雙複晶矽層及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931015372004-01-20IPC H01L27/10
同層製造「金屬-絕緣層-金屬電容器」與電阻器之方法
萬國商業機器公司
案號 0931000532004-01-02IPC H01L27/108
具有溝槽電容器之半導體裝置及製造該裝置之方法
東芝股份有限公司
案號 0921374732003-12-30IPC H01L27/108
驅動非揮發性動態隨機存取記憶體的裝置以及方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921373072003-12-29IPC H01L27/108
非揮發性記憶體以及非揮發性記憶體的製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921367932003-12-25IPC H01L27/10
經部分加工的穿隧接合控制元件
惠普研發公司
案號 0921356362003-12-16IPC H01L27/10
半導體裝置、動態式半導體記憶裝置以及半導體裝置的製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921355032003-12-16IPC H01L27/108
電容介電層結構及其製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0921350902003-12-11IPC H01L27/108