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專利資訊
藉由植入N型與P型群聚離子與負離子製造互補金屬氧化半導體裝置之方法
山米奎普公司
申請案號
092117324
公告號
200405518
申請日期
2003-06-25
申請人
山米奎普公司
發明人
湯馬士N 賀斯基
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8238
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