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藉由植入N型與P型群聚離子與負離子製造互補金屬氧化半導體裝置之方法

山米奎普公司

申請案號
092117324
公告號
200405518
申請日期
2003-06-25
申請人
山米奎普公司
發明人
湯馬士N 賀斯基
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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藉由植入N型與P型群聚離子與負離子製造互補金屬氧化半導體裝置之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通