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專利資訊
具有二多晶矽層之嵌入式非揮發性記憶體的製造方法
旺宏電子股份有限公司
申請案號
092117329
公告號
200415758
申請日期
2003-06-25
申請人
旺宏電子股份有限公司
發明人
黃仲仁
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8246
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