IP

P型半導體元件、P型金氧半導場效電晶體及雙閘極氧化物層之方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
092117372
公告號
200501413
申請日期
2003-06-26
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
郝靜晨
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

P型半導體元件、P型金氧半導場效電晶體及雙閘極氧化物層之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通