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專利資訊
P型半導體元件、P型金氧半導場效電晶體及雙閘極氧化物層之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
申請案號
092117372
公告號
200501413
申請日期
2003-06-26
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
郝靜晨
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L29/70
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