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使用改良式雙重金屬鑲嵌之半導體元件之金屬內連線層的形成方法

三星電子股份有限公司

申請案號
092118437
公告號
200402839
申請日期
2003-07-07
申請人
三星電子股份有限公司
發明人
金在鶴
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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使用改良式雙重金屬鑲嵌之半導體元件之金屬內連線層的形成方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通