IPC H01L21/768 專利列表
共 223 筆結果
堆疊式半導體元件
碩達科技股份有限公司
案號 0931085772004-03-29IPC H01L21/768
積體電路裝置及形成該裝置的製程
美商貝爾半導體公司
案號 0931085432004-03-29IPC H01L21/768
金屬連線結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931082452004-03-26IPC H01L21/768
使用無電薄膜沉積形成平坦化銅交互連結層的方法和裝置
藍姆研究公司
案號 0931077412004-03-23IPC H01L21/768
半導體裝置之製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0931078152004-03-23IPC H01L21/768
內連線結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931077552004-03-23IPC H01L21/768
半導體裝置之製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0931078172004-03-23IPC H01L21/768
形成接觸孔之方法及藉此形成的電子裝置
精工愛普生股份有限公司
案號 0931067252004-03-12IPC H01L21/768
改良之局部雙道金屬鑲嵌平坦化系統、方法與設備
蘭姆研究公司
案號 0931066482004-03-12IPC H01L21/768
形成連接路徑方法與串音資料庫
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931062872004-03-10IPC H01L21/768
用於製造具有鋪覆阻障層之開孔之半導體元件之方法
高級微裝置公司
案號 0931058442004-03-05IPC H01L21/768
具有改善之應力遷移信賴性的互連結構
高級微裝置公司
案號 0931056642004-03-04IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0931057252004-03-04IPC H01L21/768
無缺陷之薄而平坦的膜處理
ＡＳＭ努突爾股份有限公司
案號 0931053582004-03-02IPC H01L21/768
形成金屬層間介電層（ＩＭＤ）的方法及其內連線結構
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931048982004-02-26IPC H01L21/768
線路載板製程
威盛電子股份有限公司
案號 0931034512004-02-13IPC H01L21/768
製造半導體裝置之方法及使用此方法所得之半導體裝置
恩智浦股份有限公司
案號 0931022022004-01-30IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0931020092004-01-29IPC H01L21/768
半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0931018222004-01-28IPC H01L21/768
用於在接觸窗（ＣＷ）孔活性離子蝕刻過程期間降低氧氣擴散至接點插塞的側壁結構及其製造方法
因芬奈昂技術股份有限公司
案號 0931018502004-01-28IPC H01L21/768