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含有外延矽尖端之超薄本體矽上氧化物裝置之方法及藉該方法製得之物品

英特爾公司

申請案號
092118609
公告號
200409174
申請日期
2003-07-08
申請人
英特爾公司
發明人
安南 木希
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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含有外延矽尖端之超薄本體矽上氧化物裝置之方法及藉該方法製得之物品 - 專利資訊 | NowTo 智財通