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專利資訊
具閘極間隙壁之金氧半元件及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
申請案號
092118680
公告號
200503171
申請日期
2003-07-09
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
陳燕銘
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8228
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