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專利資訊
形成氮氧化物薄膜之方法
海力士半導體股份有限公司
申請案號
092118869
公告號
200411767
申請日期
2003-07-10
申請人
海力士半導體股份有限公司
發明人
申承祐
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/31
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