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專利資訊
用以形成具有高K值之介電膜的原子層沈積方法
艾斯摩美國股份有限公司
申請案號
092119586
公告號
200427858
申請日期
2003-07-17
申請人
艾斯摩美國股份有限公司
發明人
李相忍
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
C23C16/44
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