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用以形成具有高K值之介電膜的原子層沈積方法

艾斯摩美國股份有限公司

申請案號
092119586
公告號
200427858
申請日期
2003-07-17
申請人
艾斯摩美國股份有限公司
發明人
李相忍
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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用以形成具有高K值之介電膜的原子層沈積方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通