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具有凹陷抵抗埋入絕緣層之絕緣層上有半導體之結構及其製造方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
092119886
公告號
200418105
申請日期
2003-07-21
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
楊育佳
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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