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使用無定形碳取代閘極以製造ＭＯＳＦＥＴＳ之方法以及依此方法形成之結構

高級微裝置公司

申請案號
092119915
公告號
200403811
申請日期
2003-07-22
申請人
高級微裝置公司
發明人
道格拉斯　Ｊ　邦瑟
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/8234
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使用無定形碳取代閘極以製造ＭＯＳＦＥＴＳ之方法以及依此方法形成之結構 - 專利資訊 | NowTo 智財通