IPC H01L21/8234 專利列表
共 16 筆結果
製造具有包括形成於彼此沈積之金屬層組中之閘極之金屬氧化物半導體的半導體裝置之方法
恩智浦股份有限公司
案號 0931021952004-01-30IPC H01L21/8234
堆疊式金屬-絕緣體-金屬電容器及其製造方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921340732003-12-03IPC H01L21/8234
具不對稱應變力之金氧半場效電晶體製造方法
劉致為
案號 0921327542003-11-21IPC H01L21/8234
製造具應變的多層結構及具有應變層之場效電晶體之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921285122003-10-15IPC H01L21/8234
經單邊自行對準金屬矽化處理的金氧半導體元件與其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921266032003-09-26IPC H01L21/8234
抑制ＭＯＳＦＥＴ之漏電流的結構與方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921255772003-09-17IPC H01L21/8234
製造自我對準交叉點記憶體陣列之方法
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0921247432003-09-08IPC H01L21/8234
金屬氧化半導體電晶體的製造方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921244242003-09-04IPC H01L21/8234
使用無定形碳取代閘極以製造ＭＯＳＦＥＴＳ之方法以及依此方法形成之結構
高級微裝置公司
案號 0921199152003-07-22IPC H01L21/8234
用於垂直電晶體之非對稱內間隔物
萬國商業機器公司
案號 0921172992003-06-25IPC H01L21/8234
半導體裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921159332003-06-12IPC H01L21/8234
半導體裝置
三菱電機股份有限公司
案號 0921129252003-05-13IPC H01L21/8234
形成瓶型溝槽之方法及瓶型溝槽電容之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921094612003-04-23IPC H01L21/8234
在半導體基材上製造多個高度相近且間隔相同閘極堆疊的方法
億恆科技股份公司
案號 0921055252003-03-13IPC H01L21/8234
半導體積體電路裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0911320662002-10-29IPC H01L21/8234
半導體積體電路裝置之製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0911320632002-10-29IPC H01L21/8234