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浮置閘記憶體製造方法包含伴隨水平蝕刻部分之場效介電層蝕刻
茂德科技股份有限公司
申請案號
092120014
公告號
200406040
申請日期
2003-07-22
申請人
茂德科技股份有限公司
發明人
丁一
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/762
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浮置閘記憶體製造方法包含伴隨水平蝕刻部分之場效介電層蝕刻 - 專利資訊 | NowTo 智財通