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浮置閘記憶體製造方法包含伴隨水平蝕刻部分之場效介電層蝕刻

茂德科技股份有限公司

申請案號
092120014
公告號
200406040
申請日期
2003-07-22
申請人
茂德科技股份有限公司
發明人
丁一
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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