IPC H01L21/762 專利列表
共 39 筆結果
具有不同程度之圓角之半導體裝置之溝槽分隔結構及其製造方法
格羅方德半導體公司
案號 0921336632003-12-01IPC H01L21/762
半導體裝置之製造方法
瑞薩科技股份有限公司
案號 0921332902003-11-27IPC H01L21/762
製作可變電容的方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921315642003-11-11IPC H01L21/762
具擴散阻障層之閘極結構與製程
上海宏力半導體製造股份有限公司
案號 0921311922003-11-07IPC H01L21/762
利用自行對準金屬矽化物製程形成多晶矽電容器之方法
上海宏力半導體製造有限公司
案號 0921307892003-11-04IPC H01L21/762
經共同植入後在中等溫度下分離薄膜之方法
原子能委員會
案號 0921307232003-11-04IPC H01L21/762
以壓印技術製作微電容式超音波換能器之方法
財團法人工業技術研究院
案號 0921290692003-10-21IPC H01L21/762
製作淺溝渠隔離之方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921283322003-10-13IPC H01L21/762
深溝渠式電容器及其製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921273862003-10-03IPC H01L21/762
內連線錯誤的改善圖案
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921272392003-10-01IPC H01L21/762
包含由填充隔離材料之溝道組成之場隔離區之矽本體之半導體裝置之製造方法
恩智浦股份有限公司
案號 0921270142003-09-30IPC H01L21/762
已摘取一層後之包含有緩衝層之晶圓之機械性回收
斯歐埃技術公司
案號 0921232462003-08-25IPC H01L21/762
於摘去一薄層後之包含有緩衝層之晶圓之回收
斯歐埃技術公司
案號 0921232472003-08-25IPC H01L21/762
具有高介電質常數閘極介電質之三閘氧化層製程
特許半導體製造公司
案號 0921203312003-07-25IPC H01L21/762
具有被動元件之晶片結構及形成被動元件於晶片結構上之方法
高通公司
案號 0921200502003-07-23IPC H01L21/762
浮置閘記憶體製造方法包含伴隨水平蝕刻部分之場效介電層蝕刻
茂德科技股份有限公司
案號 0921200142003-07-22IPC H01L21/762
增加轉移至支撐上之材料之有用層之面積之方法（一）
斯歐埃技術公司
案號 0921193442003-07-16IPC H01L21/762
增加轉移至支撐上之材料之有用層之面積之方法（二）
斯歐埃技術公司
案號 0921193452003-07-16IPC H01L21/762
層之轉移方法
斯歐埃技術公司
案號 0921193432003-07-16IPC H01L21/762
具溝槽絕緣之半導體組件及其製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921190732003-07-11IPC H01L21/762