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具有高介電質常數閘極介電質之三閘氧化層製程

特許半導體製造公司

申請案號
092120331
公告號
200403805
申請日期
2003-07-25
申請人
特許半導體製造公司
發明人
應徹后
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/762
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具有高介電質常數閘極介電質之三閘氧化層製程 - 專利資訊 | NowTo 智財通