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具有高Ｋ閘極介電質的金屬氧化物半導體（ＭＯＳ）電晶體

惠普研發公司

申請案號
092120522
公告號
200412671
申請日期
2003-07-28
申請人
惠普研發公司
發明人
陳姿涵
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L29/76
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具有高Ｋ閘極介電質的金屬氧化物半導體（ＭＯＳ）電晶體 - 專利資訊 | NowTo 智財通