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將矽基材臭氧氧化以形成高K值閘堆疊之介面層的方法

艾斯摩美國股份有限公司

申請案號
092120706
公告號
200414356
申請日期
2003-07-29
申請人
艾斯摩美國股份有限公司
發明人
千崎佳秀
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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將矽基材臭氧氧化以形成高K值閘堆疊之介面層的方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通