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具溝渠排列記憶電晶體之記憶體胞元場製造方法

英飛凌科技股份有限公司

申請案號
092121067
公告號
200408075
申請日期
2003-07-31
申請人
英飛凌科技股份有限公司
發明人
克里斯多夫 克萊因特
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具溝渠排列記憶電晶體之記憶體胞元場製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通