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半導體基材上具多數閘堆疊半導體結構之製造方法及半導體結構

億恆科技股份公司

申請案號
092121583
公告號
200404352
申請日期
2003-08-06
申請人
億恆科技股份公司
發明人
格哈德　恩德斯
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/8242
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半導體基材上具多數閘堆疊半導體結構之製造方法及半導體結構 - 專利資訊 | NowTo 智財通