IPC H01L21/8242 專利列表
共 64 筆結果
瓶型溝槽之形成方法及瓶型溝槽電容器之製作方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931072272004-03-18IPC H01L21/8242
金屬／絕緣體／金屬電容結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931048232004-02-25IPC H01L21/8242
具單邊埋入帶之記憶體裝置的製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931044072004-02-23IPC H01L21/8242
具有浮動Ｐ井的一電阻一二極體之電阻隨機存取記憶體陣列
茲諾傑尼克發展有限責任公司
案號 0931044422004-02-23IPC H01L21/8242
揮發性記憶體結構及其形成方法以及溝槽電容結構及其形成方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931034672004-02-13IPC H01L21/8242
以液相沈積氧化物做為環狀氧化物之深溝槽電容器形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0931029822004-02-10IPC H01L21/8242
具有應變矽之高效能嵌式動態隨機存取記憶體技術
萬國商業機器公司
案號 0931001682004-01-05IPC H01L21/8242
埋入式溝渠電容器及其製造方法
茂德科技股份有限公司
案號 0931000252004-01-02IPC H01L21/8242
用於製造具有改善再新時間之半導體裝置的方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921373242003-12-29IPC H01L21/8242
溝槽電容之製法
南亞科技股份有限公司
案號 0921351812003-12-12IPC H01L21/8242
動態隨機存取記憶胞陣列以及接觸窗的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921346562003-12-09IPC H01L21/8242
自對準埋入帶及具有自對準埋入帶之垂直記憶單元的形成方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921343152003-12-05IPC H01L21/8242
電容器之製造方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921323342003-11-18IPC H01L21/8242
用於製造一半導體裝置之方法
美格納半導體股份有限公司
案號 0921319992003-11-14IPC H01L21/8242
單一電晶體型隨機存取記憶體的結構及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921317682003-11-13IPC H01L21/8242
一種改善位元線接觸電阻值的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921280702003-10-09IPC H01L21/8242
深溝渠式電容器的製造方法
長遼控股責任有限公司
案號 0921273822003-10-03IPC H01L21/8242
記憶體閘極結構之製造方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921269232003-09-30IPC H01L21/8242
鰭狀溝渠電容結構
南亞科技股份有限公司
案號 0921269002003-09-29IPC H01L21/8242
預防動態隨機存取記憶體備份複熔絲側壁傷害之方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921266012003-09-26IPC H01L21/8242