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專利資訊
用於乾蝕刻金屬層後之晶圓放電方法
台灣積體電路製造股份有限公司
申請案號
092123693
公告號
200509245
申請日期
2003-08-28
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
楊耀榮
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/3065
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