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具有側壁閘結構及ＳＯＮＯＳ記憶胞結構之非揮發性記憶元件的製造方法

三星電子股份有限公司

申請案號
092124071
公告號
200404350
申請日期
2003-09-01
申請人
三星電子股份有限公司
發明人
姜盛澤
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/8239
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具有側壁閘結構及ＳＯＮＯＳ記憶胞結構之非揮發性記憶元件的製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通