IP

改善由含鹵素前驅物與其產物所形成之高溫氧化層品質之方法與裝置

台灣茂矽電子股份有限公司

申請案號
092124269
公告號
200426242
申請日期
2003-09-02
申請人
台灣茂矽電子股份有限公司
發明人
董榮
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

改善由含鹵素前驅物與其產物所形成之高溫氧化層品質之方法與裝置 - 專利資訊 | NowTo 智財通