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提高快閃記憶體元件中閘極耦合比(GCR)的製造方法及結構

聯華電子股份有限公司

申請案號
092124603
公告號
200401411
申請日期
2003-09-05
申請人
聯華電子股份有限公司
發明人
李文芳
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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提高快閃記憶體元件中閘極耦合比(GCR)的製造方法及結構 - 專利資訊 | NowTo 智財通