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使用自行對準金屬矽氧化物製程所形成之金氧半場效電晶體及其製造方法

東芝股份有限公司

申請案號
092125040
公告號
200406849
申請日期
2003-09-10
申請人
東芝股份有限公司
發明人
出羽光明
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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使用自行對準金屬矽氧化物製程所形成之金氧半場效電晶體及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通