IPC H10D30/01 專利列表
共 6 筆結果
低正向導通電壓降，高反向阻斷電壓的接面位障式蕭特基元件
謝福淵
案號 0931053662004-07-21IPC H10D30/01
製造一裝置之方法
皇家飛利浦電子股份有限公司
案號 0921362922003-12-19IPC H10D30/01
薄膜電晶體、產生薄膜電晶體之方法，以及具有此一電晶體之電子裝置
統寶香港控股有限公司
案號 0921363022003-12-19IPC H10D30/01
具有高閘導通電壓及低導通電阻之異質結場效型半導體裝置與其製造方法
恩意西化合物裝置股份有限公司
案號 0921331322003-11-26IPC H10D30/01
使用自行對準金屬矽氧化物製程所形成之金氧半場效電晶體及其製造方法
東芝股份有限公司
案號 0921250402003-09-10IPC H10D30/01
防止側氧化之方法及裝置
英特爾公司
案號 0921222672003-08-13IPC H10D30/01