IP

抑制ＭＯＳＦＥＴ之漏電流的結構與方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
092125577
公告號
200415756
申請日期
2003-09-17
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
胡正明
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/8234
查看申請人公司資訊

本站使用 Cookie 進行流量分析，以提供更好的使用體驗。

抑制ＭＯＳＦＥＴ之漏電流的結構與方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通