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利用熱膨脹係數不同於基底之隔離材料形成應變之互補式金氧半電晶體以及雙軸應變之雙極接面電晶體
台灣積體電路製造股份有限公司
申請案號
092125700
公告號
200427085
申請日期
2003-09-18
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
季明華
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L29/76
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