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一種用於製造動態隨機存取記憶體(DRAM)及鐵電隨機存取記憶體(FERAM)的三維金屬絕緣金屬電容器之新穎方法
特許半導體製造公司
申請案號
092126585
公告號
200405522
申請日期
2003-09-26
申請人
特許半導體製造公司
發明人
城威華
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8242
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