IP
NowTo 智財通
EN
首頁
/
專利資訊
包含由填充隔離材料之溝道組成之場隔離區之矽本體之半導體裝置之製造方法
恩智浦股份有限公司
申請案號
092127014
公告號
200426982
申請日期
2003-09-30
申請人
恩智浦股份有限公司
發明人
朱利安 史密茲
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/762
查看申請人公司資訊
本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。
拒絕
接受
×
包含由填充隔離材料之溝道組成之場隔離區之矽本體之半導體裝置之製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通