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藉埋設氧化層中之壓縮材料導入張力應變矽之半導體裝置

格羅方德半導體公司

申請案號
092128684
公告號
200416788
申請日期
2003-10-16
申請人
格羅方德半導體公司
發明人
瑞斯特 德瑞克J
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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藉埋設氧化層中之壓縮材料導入張力應變矽之半導體裝置 - 專利資訊 | NowTo 智財通