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用於更高突崩電壓操作之具有外延層的瞬態電壓抑制器

通用半導體股份有限公司

申請案號
092128903
公告號
200416789
申請日期
2003-10-17
申請人
通用半導體股份有限公司
發明人
傑克 英格
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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用於更高突崩電壓操作之具有外延層的瞬態電壓抑制器 - 專利資訊 | NowTo 智財通