IP
NowTo 智財通
EN
首頁
/
專利資訊
用於更高突崩電壓操作之具有外延層的瞬態電壓抑制器
通用半導體股份有限公司
申請案號
092128903
公告號
200416789
申請日期
2003-10-17
申請人
通用半導體股份有限公司
發明人
傑克 英格
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/00
查看申請人公司資訊
本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。
拒絕
接受
×
用於更高突崩電壓操作之具有外延層的瞬態電壓抑制器 - 專利資訊 | NowTo 智財通