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雙閘極及三閘極金氧半導體場效電晶體裝置及其製造方法

高級微裝置公司

申請案號
092129118
公告號
200414539
申請日期
2003-10-21
申請人
高級微裝置公司
發明人
林明仁
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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雙閘極及三閘極金氧半導體場效電晶體裝置及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通