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三電晶體式記憶單元、其製造方法、包含該記憶單元之半導體裝置、及記憶單元陣列

恩智浦股份有限公司

申請案號
092129147
公告號
200416738
申請日期
2003-10-21
申請人
恩智浦股份有限公司
發明人
法蘭西斯克斯 佩楚斯 偉德秀文
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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三電晶體式記憶單元、其製造方法、包含該記憶單元之半導體裝置、及記憶單元陣列 - 專利資訊 | NowTo 智財通