IPC G11C16/04 專利列表
共 11 筆結果
非揮發性記憶胞及其製造方法
世界先進積體電路股份有限公司
案號 0931036102004-02-16IPC G11C16/04
使用整合技術之組合式非揮發性記憶體，具有位元組、頁與區塊寫入及同時讀寫作業能力
柰米閃芯積體電路有限公司
案號 0921317032003-11-12IPC G11C16/04
三電晶體式記憶單元、其製造方法、包含該記憶單元之半導體裝置、及記憶單元陣列
恩智浦股份有限公司
案號 0921291472003-10-21IPC G11C16/04
具備有選擇性可程式浮動閘極電晶體之閂鎖電路之單次可程式位元單元
賽諾西斯公司
案號 0921276842003-10-06IPC G11C16/04
反及閘快閃記憶體（ＮＡＮＤ ＦＬＡＳＨ）轉換電路
普邦科技股份有限公司
案號 0921235442003-08-27IPC G11C16/04
半導體記憶體
億恆科技股份公司
案號 0921212372003-08-01IPC G11C16/04
具有多階輸出電流之非揮發性記憶體的程式化、讀取與抹除方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921160112003-06-12IPC G11C16/04
使用源極與通道區域之快閃記憶體單元抹除方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921140142003-05-23IPC G11C16/04
使用動態隨機存取記憶體以及快閃記憶體之系統以及方法
日立製作所股份有限公司
案號 0921137612003-05-21IPC G11C16/04
快閃記憶體多區段抹除期間之抹除電壓控制方法與系統
美商英飛凌科技有限責任公司
案號 0921086192003-04-15IPC G11C16/04
半導體記憶體
富士通股份有限公司
案號 0921056602003-03-14IPC G11C16/04