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具有升起式源極與汲極結構之ＭＯＳ電晶體以及製造方法

三星電子股份有限公司

申請案號
092129993
公告號
200416964
申請日期
2003-10-29
申請人
三星電子股份有限公司
發明人
高榮健
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/8248
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具有升起式源極與汲極結構之ＭＯＳ電晶體以及製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通