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IPC H01L21/8248 專利列表

共 2 筆結果

具有升起式源極與汲極結構之ＭＯＳ電晶體以及製造方法

三星電子股份有限公司

案號 0921299932003-10-29IPC H01L21/8248

一種系統整合晶片的製作方法

旺宏電子股份有限公司

案號 0921097982003-04-25IPC H01L21/8248

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