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在含有摻雜矽之半導體區域內形成鎳矽化物領域之方法
高級微裝置公司
申請案號
092130195
公告號
200411781
申請日期
2003-10-30
申請人
高級微裝置公司
發明人
坎米勒 索斯登
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/336
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在含有摻雜矽之半導體區域內形成鎳矽化物領域之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通